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纳米技术研究中心 , 韦洛尔理工学院 , 韦洛尔 , 泰米尔纳德邦 , 632 014 , 印度
沙特国王大学阿卜杜拉国王纳米技术研究所 , P.O. Box2455利雅得 11451沙特阿拉伯
首次通过从母体TixTa(4-x)AlC3 MAX相中蚀刻Al原子 , 成功制备了双金属钛-碳化钽MXene , TixTa(4-x)C3 。 X射线衍射仪和拉曼光谱分析证明了从MAX相到层状MXene排列的结晶相演变 。 此外 , X射线光电子能谱(XPS)研究证实 , 在氢氟酸(HF)蚀刻过程以及Ti和Ta的部分氧化后 , 合成的MXene不含Al 。 此外 , FE-SEM和TEM表征证明了TixTa(4?x)C3 MXene在其相应的MAX TixTa(4?x)AlC3相中的Al原子之后定制的剥离过程 , 通过扩展的中间层d促进其结构分层-间距 , 可以实现有效的可逆锂离子存储 。 层状TixTa(4?x)C3 MXene在0.5 °C的应用C速率下表现出459 mAhg-1的可逆比放电容量 , 在200次循环中容量保持率为97% 。 优异的电化学氧化还原性能归因于稳定、有前途的双金属MXene材料的形成 , 该材料将锂离子存储在其层的表面上 。 此外 , 由于其良好的电子和锂离子传输 , TixTa(4?x)C3MXene负极表现出高倍率性能 , 这表明它是一种很有前途的锂离子负极材料 。
材料表征
使用以布拉格-布伦塔诺几何结构操作的布鲁克D8 XRD获得X射线衍射图 , 具有固定狭缝(在室温下) 。 使用具有532 nm绿色激光的拉曼光谱仪(HoribaScientific)记录振动模式 。 形态象形图分别使用supra-55 FE-SEM (Carl Zeiss)和G2-20 TWIN TEM (FEI-TECNAI)记录 。 在200 kV加速电压下记录高分辨率TEM图像 , 并与Gatan Orius CCD相机集成 。 使用MultiLab 2000 XPS光谱仪(Thermo Scientific)分析元素组成 。 所有元素光谱均参考了碳(C1s-284.6 eV) 。 使用TA InstrumentsSDTQ600进行热重分析 。
电化学评价
根据我们之前的报告66061 , 使用恒电位循环伏安法和恒电流充放电循环分析了双金属TixTa(4?x)C3 MXene纳米粒子作为锂离子主体材料的电化学性能 。 首先 , 将TixTa(4?x)C3 MXene粉末与导电添加剂(超级P碳)和粘合剂(PVDF)以80:10:10的质量比在溶剂(NMP)中混合 。 将所得负极浆料均匀地涂覆在铜箔上并在真空中在80℃下干燥24小时 。 将所得的负极薄膜冲孔(直径12 mm) 。 电化学测试是使用硬币型电池2032进行的电解质(EC:DEC—1:1) 。
结果与讨论
MXene化合物传统上是通过三步工艺制备的 。 首先 , 进行球磨以有效地混合所有组分 。 然后 , 进行高温热压处理以获得均质的MAX相 。 最后 , 使用氢氟酸进行蚀刻工艺以去除MAX相的“A”成分 , 从而得到层状材料MXene 。 然而 , 双金属TixTa(4?x)C3 MXene的制备涉及一个额外的初始步骤 , 包括通过球磨形成TiTa合金 , 如图1a所示 。 双金属TixTa(4?x)C3 MXene用作半电池中工作电极的活性材料(图1b) , 其开路电压(OCV)?>?3.0 V vs. Li/Li+休息24小时后(图1c) , 这证明了它作为负极电极打开白色LED的潜力(图1d) 。
图1
(a)制备双金属TixTa(4?x)C3 MXene的方法示意图 , (b) MXene工作电极及其各自的纽扣电池;使用我们的MXene半电池测试(c)开路电压和(d) LED发射白光 。
图2显示了合金钛和钽(TiTa)的XRD图谱 , 发现它们处于与JCPDS卡号00-044-1294匹配的六方相中 。 TiTa合金的XRD图案是窄的/尖锐的确认微米尺寸的颗粒 。 体系中的主要峰是马氏体α” , 次要峰是β(奥氏体相 , JCPDS卡号00-044-1288) , 其中α”与粒径成反比 , β与粒径成正比 , 即具有较小的颗粒尺寸 , XRD图案将具有主要的马氏体α\"峰和次要的β峰62 。 在我们的例子中 , 合金化的TiTa也有一个主要的α” 。 TixTa(4?x)AlC3MAX相的粉末XRD图如图3所示 。 合成样品的XRD峰主要归因于具有少量AlTa3、Ta2O和TiO2痕量的钽-钛碳化铝 。 获得的XRD图案与早期报道的碳化钽铝(ICSD-156383)2732相匹配 。 由于双有序金属原子 , 还观察到2θ的变化 。 合成的样品处于六方晶体系统中 , 这也可以在从TEM分析中获得的SAED图案中看到 , 如图S3所示 。 此外 , 通过将Ti与Ta合金化 , 元素Ti的熔点低于Ta , 但由于颗粒为微米尺寸 , 因此可以将它们烧结在一起 。 在较低温度的情况下 , 材料中会出现富含Ti和Ta的区域 , 但由于MAX相需要1500 °C的高温 , 在这种情况下 , 由于柯肯达尔效应 , Ti和Ta原子会在其相间发生相互扩散6364 .由于Ti和Ta扩散系数之间存在差异 , 原子从界面的一侧到另一侧的传输不正确 , 导致部分扩散并在区域中形成空位或孔隙缺陷 , 其中原子搬出去64 。 因此 , MXene相的XRD峰与其母体MAX相比有所下降 , 这是由于HF蚀刻后C晶格参数的增加32、39、65 。 由于样品的非标准取向(垂直取向假设基于Ghidiu等人66的实验数据) , 在MXene相的情况下 , 5°和25°之间的微小反射消失了 。 此外 , 由于AlTa3和Ta2O在蚀刻和清洗过程中被去除 , 因此没有观察到污染峰66 。
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