为了在太阳能电池中实施 ， 电线结构应均匀、致密 ， 不反映太阳辐射 ， 由于蚀刻的结构显示了均匀和紧凑的形态 ， 因此制备了一系列样品 ， 并对其光学性能进行了研究 。 对于蚀刻了5、10、15和20秒的样品 ， 观察到反射率下降 ， 但在纹理方面仍然太高 ， 此外 ， 发生的干扰导致这些结构表现得像一个多孔层 ， 而不像一个纹理 ， 这是不需要的 ， 随着蚀刻时间的增加 ， 干扰消失 ， 反射率显著降低到适当的纹理水平 。
上述考虑因素涉及到蚀刻在抛光硅上的电线 。 传统的酸性结构的特点是反射率降低 ， 然而 ， 从黑硅的水平来看 ， 这种还原的水平还远远不够 。 尝试将改良的酸性纹理和蚀刻的电线结构结合起来 。 该假设形成一个酸性形态的表面结构 ， 由蚀刻在坑结构顶部的超短导线支撑 。
结果表明 ， 随着导线蚀刻时间的增加 ， 反射率的增加 ， 反射率降低 ， 然而 ， 同一导线蚀刻时间等于20秒 ， 导致Reff值（4.00%）高于酸性纹理后凹坑上的导线值（3.65%） ， 当然差别并不大 ， 但事实是 ， 如果电线结构存在于暴露在与隐藏坑内部位置相反的金字塔上 ， 电线结构更容易被损坏 。
结果表明 ， 所提出的两步短湿蚀刻法适用于镁硅晶片 ， 并允许形成黑硅 ， 此外 ， 第一步在10-12°C低温下进行酸性纹理 。 通过这种治疗 改变了反应过程的反应性 ， 从而获得了更好的光学和电子性能；第二步是以Ag为催化剂的MAE技术进行成丝处理 ， 检测了导线的高度（采用化学抛光的Cz-Si） ， 并表示了高度与蚀刻时间的线性关系 。 将最佳导线高度设置在350nm（蚀刻20秒） ， 在300-1100nm的波长范围内 ， Reff值分别为3.65%（与酸性凹坑纹理结合）、4.0%（与碱性锥体纹理结合）和5.89%（在化学抛光表面） ， 与典型的一步湿结构或在非纹理表面形成的导线相比 ， 所获得的黑硅结构具有最佳的光学性能 。
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