TSMC|台积电3nm制程工艺即将投产：密度比5nm高60% 台积电3nm制程工艺即将投产：

据techpowerup报道称，台积电正在开发3nm的工艺制程，包括了N3、N3B和N3E多个节点。据了解，台积电原计划在2022下半年量产N3节点， N3E量产计划为2023年下半年。但由于作为3nm简化版的N3E节点，量产率较高，台积电希望早日实现商业化，可能提前到2023年上半年。
N3E的工艺流程也已经提前准备好了，在这个月底就会确定下来。
据悉， N3E在N3基础上减少了EUV光罩层数，从25层减少到21层，逻辑密度低了8% ，不过仍比5nm的N5制程节点要高出60% ，并且具有更好的性能、功耗和产量。
相比之下，据说N3的逻辑密度比N5高70% 。
还有N3B ，据说是针对某些客户的 N3 的改进版本，不过我们目前对N3B节点知之甚少。
【TSMC|台积电3nm制程工艺即将投产：密度比5nm高60%】无论N3E还是N3B ，都不是用于取代N3 ，只是让客户有更多的选择，在不同产品上有更好的性能和功耗表现。

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TSMC|台积电3nm制程工艺即将投产：密度比5nm高60%

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