传统|网传小米澎湃 P1 芯片并非自研,南芯半导体回应:消息不实
IT之家 2 月 8 日消息 , 南芯半导体今日发文称 , 近日出现了一些关于小米澎湃 P1 的不实传言 。 官方现做出回应 。
据介绍 , 小米澎湃 P1 芯片为小米自研设计、南芯半导体代工(内部代号 SC8561) 。 这款芯片具备超高压 4:1 充电架构 , 实现了 120W 单电芯充电 ,, 支持 1:1、2:1 和 4:1 的转换模式 , 所有模式均可双向导通 , 可实现有线 120W、无线 50W、无线反充等多种充电功能 。
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今日早些时候 , 有微博用户表示小米自研的澎湃 P1 芯片为外部购买的传闻 , 针对小米的“自研”工作进行造谣 。
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小米在去年 12 月发布了自研的第三款芯片澎湃 P1 。 雷军称 , 小米 12 Pro 搭载澎湃 P1 充电芯片 , 行业首次实现“120W 单电芯”充电技术 。
小米现已发布澎湃 P1 的详细介绍 , 官方称澎湃 P1 填补了 120W 单电芯快充行业空白 。
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小米表示 , 过去的单电芯快充体系中 , 要把输入手机的 20V 电压转换成可以充入电池的 5V 电压 , 需要 5 个不同种电荷泵的串并联电路 。 大量的电荷泵和整体串联的架构会带来很大的发热量 , 实际使用中完全无法做到长时间满功率运行 , 更难以做到 120W 高功率快充 。
驱动小米 120W 澎湃秒充的核心是两颗小米自研智能充电芯片:澎湃 P1 。 它们接管了传统的 5 电荷泵复杂结构 , 将输入手机的高压电能 , 更高效地转换为可以直充电池的大电流 。
小米表示 , 澎湃 P1 作为业界首个谐振充电芯片 , 拥有自适应开关频率的 4:1 超高效率架构 , 谐振拓扑效率高达 97.5% , 非谐振拓扑效率为 96.8% , 热损耗直线下降 30%。
澎湃 P1 本身承担了大量的转换工作:传统电荷泵只需要两种工作模式(变压、直通) , 而澎湃 P1 需要支持 1:1、2:1 和 4:1 转换模式 , 并且所有的模式都需要支持双向导通 , 这意味着总共需要 15 种排列组合的模式切换控制 —— 是传统电荷泵的 7 倍 。 正向 1:1 模式让亮屏充电效率更高 , 正向 2:1 模式可兼容更多充电器 , 正向 4:1 可支持 120W 澎湃秒充 , 反向 1:2/1:4 模式可支持高功率反向充电 。
小米称 , 澎湃 P1 也是小米充电效率最高的 4:1 充电芯片 , 可做到 0.83W / mm2 超高功率密度 , LDMOS 也达到业界领先超低 1.18mΩmm2 RSP 。 而澎湃 P1 芯片内部需要用到三种不同耐压的 FLY 电容 , 每颗电容需要独立的开短路保护电路 , 而每种工作模式又需要严格控制预充电压 , 功率管数量接近传统电荷泵的两倍 。 并且因为拓扑设计和功能复杂度的提升 , 每片澎湃 P1 在出厂时都需要通过 2500 多项测试 , 远高于传统电荷泵 。
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【传统|网传小米澎湃 P1 芯片并非自研,南芯半导体回应:消息不实】IT之家了解到 , 即将在 12 月 28 日发布的小米 12 Pro 是第一款搭载澎湃 P1 的智能手机 , 它支持有线 120W 澎湃秒充、50W 无线秒充和 10W 无线反向充电 。 小米表示 , 小米 12 Pro 的 120W 澎湃秒充技术拥有两挡模式:低温模式 , “温度仅 37℃ , 体温般舒适”;疾速模式 , “一杯咖啡的时间疾速满电” 。
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