硬件|SK海力士基于UFS 4.0规范的238层V8 NAND最早明年上半年量产
SK海力士将把目前最高的238层NAND（V8）应用于新一代内置闪存UFS（通用闪存）的最新规格产品 ， 预计最早明年上半年可以量产 。UFS是应用国际半导体标准化机构JEDEC的内置存储器接口的闪存 ， 这是为智能手机、平板电脑等移动家电而制定的新一代标准 ， 与传统的MMC（多媒体卡）相比 ， 数据处理速度和电源效率要高得多 。
UFS 4.0 是今年 5 月正式批准的最新标准 ， 其数据传输带宽为 23.2 Gbps ， 是之前 UFS 3.1 的两倍 。
最先提出UFS 4.0内存开发和量产计划的企业是三星电子 。三星电子将于5月在世界上首次开发UFS 4.0内存 ， 从本月开始正式投入量产 。三星电子的UFS 4.0内存搭载了自主开发的UFS 4.0控制器和第七代176层NAND（V7） ， 连续读取和连续写入速度分别为4200MB/s、2800MB/s 。封装水规格为长11毫米、宽13 毫米 ， 高1.0 毫米 。
SK海力士也制定了UFS 4.0内存的具体开发计划 。SK海力士将在UFS 4.0内存上搭载V7和V8 NAND作为主力 。其中 ， V8是SK海力士在世界上首次开发的目前最高238层NAND ， 与前几代176层相比 ， 传输速度更加出色 。与传统的封装相比 ， TLC 4D封装技术在减少单位单元面积的同时 ， 生产效率更高也是主要特点 。
SK海力士正在开发的UFS 4.0内存的数据处理速度是连续读取4000MB/s ， 连续写入2800MB/s水平 。外形为宽11毫米、长13毫米、高0.8毫米 ， 是一种非常薄的封装形式 。
目前 ， SK海力士已经向主要客户公司提供了238层NAND样品 ， 计划明年上半年进行量产 。因此 ， 搭载V8 NAND的UFS 4.0内存最早也有望从明年上半年开始量产 。
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