Intel|IEDM 2021：英特尔分享最新研究突破携摩尔定律奔向2025( 二 )_IEDM|2021：英特尔分享最新研究

此外英特尔致力于通过前瞻性研究，为摩尔定律迈向新时代而铺平道路。相关研究展示了如何使用几个原子厚度的新型材料，来制造克服传统硅通道限制的晶体管。
展望未来十年，我们有望迎来在单位芯片面积上增多数百万个晶体管的更强大计算产品。
（2）英特尔正在为芯片带来哪些新特性？

通过在 300mm 晶圆上率先实现基于氮化镓（GaN）的功率开关、结合硅基的 CMOS，英特尔正在推进更高效的功率器件技术。
换言之，这为 CPU 的高速供电和更低能耗损失奠定了基础，同时减少了对主板组件和空间的需求，此外还有行业领先的低延迟读 / 写体验。
得益于新型铁电材料和下一代 DRAM 技术，其有助于提供更大的内存资源，以化解从游戏到人工智能等计算应用程序面临的日益复杂的问题。

（3）英特尔正在通过基于硅晶体管的量子计算、以及全新的开关组件来追求巨大的性能。

行业内的许多企业，都寄希望于可在室温下运行的设备，来推动大规模的节能计算。
展望未来，基于全新物理学概念的新器件，有望取代经典的‘金属-氧化物半导体场效应晶体管’（简称 MOSFET）。

值得一提的是，在 IEDM 2021 上，英特尔展示了全球首个室温状态下的磁电自旋轨道（MESO）逻辑器件，意味着制造基于开关纳米磁体的新型晶体管的潜在可能性。
此外英特尔与 IMEC 在自旋电子材料研究方面取得了新进展，集成研究让器件向着实现全功能自旋扭矩更近了一步。
最后，英特尔展示了用于实现与 CMOS 制造兼容的可扩展量子计算的完整 300mm 量子比特工艺流程，并且已经确定了后续的研究方向。
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