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Intel|IEDM 2021：英特尔分享最新研究突破 携摩尔定律奔向2025

在对摩尔定律的不懈追求过程中，英特尔持续向着关键封装、晶体管、量子物理等领域发力，以推动并加速下一个十年的计算发展 。在 2021 年度的 IEEE 国际电子设备会议（IEDM）上，这家芯片巨头概述了最新的成绩 。包括实现 10 倍的混合键合封装互连密度提升、30~50% 的晶体管规模增长、新型功率与存储器技术的重大突破，以及有望在某天彻底颠覆传统计算方法的全新物理学概念 。

Intel|IEDM 2021：英特尔分享最新研究突破 携摩尔定律奔向2025
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英特尔高级研究员兼组件研究部总经理 Robert Chau 表示：“在英特尔，推进摩尔定律所需的研究和创新从未止步” 。

组件研究小组将在 IEDM 2021 期间分享关键研究突破和革命性的工艺与封装技术，以满足行业与社区对于强大计算的永不满足的需求 。
这些成果源于英特尔最优秀的科学家和工程师们持续不懈的努力，他们持续走在创新的最前沿，以让摩尔定律能够顺利延续下去 。
据悉，摩尔定律长期指引着 IT 行业的计算创新，以满足从大型机、到移动计算设备的每一次技术迭代需求 。
不过随着我们进入一个拥有无限数据和人工智能计算的新时代，这种演变时至今日仍在持续 。
而作为摩尔定律的基石，英特尔组件研究小组致力于在三个关键领域持续创新：
（1）用于容纳更多晶体管的基础缩放技术；
（2）用于功率和存储增益的新硅功能；
（3）探索物理学领域的新概念，以彻底颠覆这个世界的现有计算方式 。
之前许多技术突破，已经在当今许多产品中得到了应用，包括应变硅、Hi-K 金属栅极、FinFET 晶体管、RibbonFET，以及 EMIB 和 Foveros Direct 等封装工艺创新 。
【以下是英特尔 IEDM 2021 要点】
（1）英特尔正在对基础缩放技术开展重要研究，以在未来产品中引入更多晶体管 。
首先，研究人员概述了针对混合键合互连设计、工艺与组装挑战的解决方案，预计可将封装互连密度提升至 10 倍以上 。
其实在 7 月份的 Intel Accelerated 活动上，该公司就已经宣布了 Foveros Direct 的推出计划 。特点是支持亚 10 微米的凸点间距，有望将 3D 堆叠的互连密度再提升一个数量级 。
为了让生态合作伙伴也能够从小芯片等先进封装技术上获益，英特尔还呼吁建立新的行业标准与测试程序 。
其次，在 RibbonFET 环绕栅极之后，英特尔正通过堆叠多个 CMOS 晶体管的方法，以引领即将到来的后 FinFET 时代 。
Post-FinFET 旨在实现多达 30~50% 的逻辑缩放改进，以继续推动摩尔定律的发展 —— 在每 m㎡ 塞入更多晶体管 。

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