在昨日（10月14日）业绩会上公布三季度财报后 ， 台积电还透露了先进制程的最新进展 。
大家最关心的3nm方面 ， 第一代计划明年下半年投产 ， 同时 ， 3nm也有增强版（N3E） ， 计划2023年下半年投产 。 显然 ， 这样的节奏大概率会与第一大客户苹果的A16、A17处理器相对应 。
“E”的后缀说实话比较新鲜 ， 毕竟7nm增强版、5nm增强版都是用“P”做后缀 ， 不知道E代表底气更足还是更差了 ， 谨慎猜测是后者 。
按照此前披露的信息 ， 第一代3nm（N3）的功耗将比5nm降低25~30% ， 性能提升10~15% ， 晶体管密度提升70% 。 纵向对比的话 ， 弱于5nm之于7nm的变化 ， 坦率来说 ， 有些让人失望 。
【后缀|取代5nm！台积电3nm规划两代：明后年分别投产！性能最高提升15%】
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另外 ， 针对部分特定需求客户 ， 台积电还有4nm在准备 ， 它可以视为5nm的改良版 ， 晶体管密度提升6% ， 同时制造流程简化 ， 换言之 ， 良率会更高 。
在微观层面 ， 台积电的3nm仍旧是FinFET晶体管结构 ， 这预计也是FinFET的谢幕之作 。 Intel、三星、台积电都将悉数向GAA（环绕栅极）晶体管过渡 ， 其中Intel称之为RibbonFET ， 拥有独家的PowerVia背面电路技术 。
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