Samsung|三星定于今年6月前全力转投第六代11nm 1c DRAM芯片开发
据 Business Korea 报道 ， 三星近期设立了一个新的目标 ， 希望在今年 6 月前完成基于 11nm 工艺节点的第六代 1c DRAM 芯片的开发 。消息称 ， 该公司已要求自家研发人员停下或跳过基于 12nm 工艺节点的 1b DRAM 芯片的开发 ， 以期扩大并维持较竞争对手（包括 SK 海力士和美光科技）的技术领先优势 。
访问购买页面:
SAMSUNG - 三星旗舰店
文章图片
资料图（来自：Samsung 官网）
当然 ， 这不是我们首次看到三星作出类似的决定 ， 此前这家韩国电子科技巨头曾放弃 28nm DRAM、并全面转向 25nm DRAM 的生产 。
不过业内专家指出 ， 11nm DRAM 的生产并非易事 。因其需要先进的技术作为支撑 ， 而当前三星在 1a DRAM（10 纳米级别的第 4 代内存产品）的量产上落后于两大竞争对手 。
【Samsung|三星定于今年6月前全力转投第六代11nm 1c DRAM芯片开发】在巨大的压力之下 ， 报道称三星正希望找到一种方法来实现既定目标 。
推荐阅读
- Samsung|不少Galaxy S20用户反馈安装固件更新后导致屏幕出现线条
- Samsung|三星Galaxy S22系列为何会过热？可能是ARM的设计问题
- Samsung|三星效仿苹果推Multi Control：可让Tab S8成为Galaxy Book2的第二屏
- AMD|联手三星优化 AMD锐龙7000将获得“轰动性”DDR5内存超频性能
- Samsung|三星Galaxy S22变相降价 12期免息+赠300元京东E卡活动上线
- Samsung|三星显示正开发更薄QD-OLED面板 将减少一层玻璃基板
- Samsung|消息称三星13nm内存研发失利：1nm之差花了两年也搞不定
- 硬件|三星“心焦”、台积电“头疼”的4nm“良率泥潭”
- Samsung|三星考虑推新维修计划：使用回收零部件 让维修价格更低
- Intel|英特尔将提前半年投放原定于2025年启用的芯片制造技术