西部数据推出UFS 3.1闪存 最高写入800MB/s

西部数据推出UFS 3.1闪存 最高写入800MB/s


为了迎接5G时代的到来 , 西部数据宣布推出最新的iNAND MC \nEU521闪存 , 符合JEDEC最新规范的UFS \n3.1闪存 , 在第六代SmartSLC缓存技术的加持下 , 顺序写入速度最高可以达到800MB/s , 具有128GB以及256GB两种规格 , 封装尺寸11.5x13x1.0mm 。 更为详细的技术规格可以查看这个网址:\n \nhttps://documents.westerndigital.com/content/dam/doc-library/en_us/assets/public/western-digital/product/embedded-flash/product-brief/product-brief-inand-mc-eu521-embedded-flash-drive-western-digital.pdf

至于应用层面 , 西数表示iNAND MC EU521可以用在智能手机、平板的设备内 , 为游戏、AR/VR、机器学习、人工智能等场景加速 。

相较于UFS 3.0 , UFS 3.1新增以下三大特性:

Write Booster:就是SSD上常见的SLC Cache , 可以显著提升写入速度;

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