“此外 ， 利用 zigzag-Xene-nanoribbons 作为通道材料的拓扑量子场效应晶体管具有设计和制造中涉及的工程复杂性的几个优点 ， ” 教授说 。 与阈值电压的尺寸依赖性与隔离技术纠缠在一起的 MOSFET 技术不同 ， 拓扑量子场效应晶体管中阈值电压的降低是与拓扑和量子力学功能相关的锯齿形-Xene-纳米带的固有特性 。 除了非常不同的传导和开关机制外 ， 制造具有之字形-Xene-纳米带的拓扑量子场效应晶体管所需的技术方面也与 MOSFET 完全不同：对于低电压 ， 没有专门的技术/隔离技术的基本要求具有节能开关机制的电压 TQFET 。
通过保持导通状态的拓扑稳健性和最小的阈值电压 ， 可以将沟道宽度减小到准一维 。 这允许优化拓扑量子场效应晶体管的几何形状 ， 通过多个边缘状态通道增强信噪比 。
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