芯片|中芯“7nm”芯片正式登场!所有IP全自主国产:打破国外垄断

芯片|中芯“7nm”芯片正式登场!所有IP全自主国产:打破国外垄断

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芯片|中芯“7nm”芯片正式登场!所有IP全自主国产:打破国外垄断

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【10月17日讯】相信大家都知道 , 目前国产芯片、国产操作系统一直都是国内科技圈热议的话题 , 尤其是在华为遭受到全方位的”芯片断供“打压后 , 台积电不仅仅无法继续为海思代工芯片产品 , 同时也对部分国内芯片公司关紧了大门 , 这也是让很多企业以及网友们不再信奉:”造不如买 , 买不如租、科技无国界“的发展理念 , 也是让我国科技产业再次陷入到了“生死存亡”的大危机中 , 针对目前国产芯片产业链的短板 , 国家也开始推出了更多的激励措施 , 比如“十年免税”福利 , 国家半导体大基金的资金扶持等等 , 以鼓励国内芯片企业的发展 , 同时还成立了国内第一所芯片大学—“南京集成电路大学” , 培养更多的芯片研发人才 。

其中最值得关注 , 就是国内最顶尖科研机构—中科院表态 , 中科院已经明确表示:“将会举全院之力 , 来攻克光刻机、半导体材料等关键技术;” 同时华为创始人任正非也在第一时间拜访了中科院 , 双方未来也将会在芯片产业链研发领域展开合作 , 目前华为也在面向全球招收更多优秀的半导体研发人才;

或许也是受到了美国的“鞭策” , 才让越来越多中国科技企业、芯片企业 , 开始认识到:“掌握核心技术的重要性” , 在近日 , 国内芯片代工巨头—中芯国际也正式传来了好消息 , 中芯国际FinFET N+1先进工艺 , 已经正式完成了流片和测试 , 所有IP都实现了全面国产自主可控 , 同时所有功能测试也更是一次通过 , 根据中芯国际官方所公布的信息显示 , FinFET N+1相当于台积电的7nm工艺 , 但在性能方面略逊一筹 , 但整体差距并不大 , 所以中芯国际FinFET N+1工艺 , 相当于是我们中国版的“7nm芯片”

或许就连很多网友们都会感觉到意外 , 中芯国际竟然直接跳过了10nm工艺 , 攻克了“7nm芯片”产品 , 并且这次中芯国际并没有使用到ASML 高端EUV光刻机 , 而是通过技术手段 , 来提高芯片工艺制程 , 就达到了7nm工艺芯片水准 , 要知道美国芯片制造巨头—Intel , 在使用了高端EUV光刻机设备 , 目前依旧无法造出7nm芯片产品 , 而此前美国高盛也曾预测:“中芯国际要在2022年 , 才能够实现7nm芯片量产 , 但如今中芯国际已经正式取得了7nm芯片工艺突破 , 超乎了所有人预料 。 ” 对此很多网友们也纷纷表示:“中芯国际能够取得如此重大技术突破 , 很大程度上也是要感谢美国“技术封锁” , 在美国重压之下 , 加速了我们国产芯片产业的崛起 。 ”

【芯片|中芯“7nm”芯片正式登场!所有IP全自主国产:打破国外垄断】最后:确实在“懂王”一次次针对下 , 我们国产芯片企业也开始放弃幻想 , 放弃了“造不如买、买不如租、科技无国界”的理念 , 全身心的去搞研发 , 各位小伙伴们 , 对于这次中芯国际的“7nm”芯片正式登场 , 你们都有什么样的看法和意见呢?欢迎在评论区中留言讨论 , 期待你们的精彩评论!

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